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第28回日本MRS年次大会で奨励賞を受賞

 電子機械工学専攻1年の橋本さん(電気工学科 山田 悟研究室)が,平成30年12月18日~20日まで北九州市で開催された,「第28回日本MRS年次大会」で,奨励賞(Award for Encouragement of Research in Materials Science)を受賞しました。
 日本MRS年次大会とは、一般社団法人日本MRSが、経済・産業の持続的な成長と地球環境問題をグローバルな視点から両立させる革新的な先進材料を創出するため、新規材料の創製、新規プロセス、新規機能の探索に関する分野融合的なテーマについて討論する場です。

 同賞は、本大会にて優秀な発表をした若手研究者個人にその功績を称えることを目的とし、厳正な審査の結果与えられるものです。

 橋本さんの研究発表内容は、ミストCVD法により作製されたα-Ga2O3の構造評価(Structural properties of α-Ga2O3 thin films grown by mist chemical vapor deposition)で,次世代パワー半導体として注目されている酸化ガリウム半導体薄膜を作製し,逆格子マッピングを用いてその結晶構造の評価を行うというものでした。

■論文タイトル  Structural properties of α-Ga2O3 thin films grown by mist chemical vapor deposition

■論文著者  A.Hashimoto, Y.Nakabayashi, T.Kawae and S.Yamada

*A. Hashimoto 1), Y. Nakabayashi 2), T. Kawae 3) and S. Yamada 1)
1) National Institute of Technology, Ishikawa College, 2) Japan Advanced Institute of Science and Technology, 3) Kanazawa University

 本研究の一部は文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業(分子・物質合成)の支援により北陸先端科学技術大学院大学で実施されています。

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